[发明专利]控制等离子密度分布的设备和方法有效
| 申请号： | 200680047507.6 | 申请日： | 2006-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN101542712A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 拉金德尔·德辛德萨;费利克斯·科扎克维奇;路民·李;戴夫·特拉赛尔 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余 刚;尚志峰 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 多个RF功率传输路径限定为从RF功率源经过匹配网络、传输电极和该等离子延伸到多个回路电极。多个调谐元件分别设置在该多个RF功率传输路径内。每个调谐元件限定为调节将经过设有该调谐元件的该RF功率传输路径传输的RF功率的量。特定RF功率传输路径附近内的等离子密度与经过该特定RF功率传输路径传输的RF功率成正比。所以，对经过该RF功率传输路径传输的RF功率的调节，如该调谐元件所做的，能够控制整个基片的等离子密度分布。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 等离子 密度 分布 设备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于半导体晶片处理的等离子处理系统，包括：射频(RF)功率源；匹配网络，连接到该RF功率源；传输电极，连接到该匹配网络，其中该传输电极限定为将RF功率传输到将在容积内产生的等离子；多个RF功率传输路径，其从该RF功率源经过该匹配网络、该传输电极和该等离子延伸到多个回路电极；以及多个调谐元件，分别设置在该多个RF功率传输路径内，该多个调谐元件的每个限定为调节经过设有该调谐元件的RF功率传输路径传输的RF功率的量，在该等离子处理系统运行过程中，特定RF功率传输路径附近内的等离子密度与经过该特定RF功率传输路径传输的RF功率的量呈正比。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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