[发明专利]用于太阳能电池和组件制造的沉积半导体层的技术和装置无效
| 申请号： | 200680047567.8 | 申请日： | 2006-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN101331589A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | B·巴索尔 | 申请（专利权）人： | 索洛动力公司 |
| 主分类号： | H01L21/06 | 分类号： | H01L21/06 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李帆 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明以不同实施方案有利地提供了形成具有宏观尺度及微观尺度组成均匀性的高品质、致密、良好附着的IBIIIAVIA族化合物薄膜的低成本沉积技术。还提供了将在这些化合物薄膜上制作的太阳能电池单片集成以形成组件的方法。在一个实施方案中，提供了在基底上生长IBIIIAVIA族半导体层的方法，并且包括步骤：在基底上沉积成核层和/或籽晶层以及在该成核层和/或籽晶层上电镀包含IB族材料和至少一种IIIA族材料的前体膜，以及使电镀的前体膜与VIA族材料反应。还描述了其它实施方案。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 太阳能电池 组件 制造 沉积 半导体 技术 装置 | ||
【主权项】：
1.在基底的接触层上制备Cu(In，Ga)(S，Se)2化合物层的方法，该方法包括，在接触层上沉积成核层，和通过湿法处理技术在成核层上形成前体膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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