[发明专利]半导体器件制造期间的局部退火有效
| 申请号： | 200680048138.2 | 申请日： | 2006-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN101410991A | 公开（公告）日： | 2009-04-15 |
| 发明（设计）人： | 袁述;林菁 | 申请（专利权）人： | 霆激技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/00;H01L27/00 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 赵 飞 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 一种在衬底上制造半导体器件的工艺，该半导体器件包括至少一个金属层。该工艺包括，移除该衬底并施加一第二衬底；以及通过在该至少一个金属层上应用电磁辐射束来退火该至少一个金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 期间 局部 退火 | ||
【主权项】：
1、在制造于衬底上的半导体器件的制造工艺中，且所述半导体器件包括至少一个金属层和多个在所述衬底上的半导体层，该改进工艺包括：移除所述衬底并对所述半导体器件施加第二衬底，以及通过在所述至少一个金属层上施加电磁辐射束而退火所述至少一个金属层。
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