[发明专利]氧化物半导体发光元件无效
| 申请号： | 200680048228.1 | 申请日： | 2006-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN101341603A | 公开（公告）日： | 2009-01-07 |
| 发明（设计）人： | 藤井哲雄;田边哲弘 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘春成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供使用能够期待达到比GaN类化合物更高效率的发光的ZnO类化合物半导体，并且能够高效率全面发光的ZnO类化合物半导体发光元件。在绝缘性基板(1)上层叠由ZnO类化合物半导体材料构成的n形层(2)、活性层(3)、p形层(4)，上述n形层的比电阻的值为0.001Ω·cm以上1Ω·cm以下，并且设定n形层的膜厚(μm)为比由比电阻(Ω·cm)×300的计算式计算出的值大的值，在n形层的与基板接触的面相反的面的露出部分上形成n侧电极(5)，在p形层上形成p侧电极(6)。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
1.一种氧化锌类化合物半导体发光元件，其由ZnO类化合物半导体材料构成，至少包括n形层和p形层，该氧化锌类化合物半导体发光元件的特征在于：所述n形层的比电阻的值为0.001Ω·cm以上1Ω·cm以下，并且，设定所述n形层的膜厚d(μm)为通过d＝比电阻(Ω·cm)×300的计算式计算出的值以上的值，以与所述n形层接触的方式形成n侧电极，以与所述p形层接触的方式形成p侧电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于罗姆股份有限公司，未经罗姆股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200680048228.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
