[发明专利]高电介质薄膜的改性方法和半导体装置

摘要

本发明提供一种高电介质薄膜的改性方法和半导体装置，在使用有机金属化合物材料、在被处理体的表面上形成的高电介质薄膜的改性方法中，包括：准备在表面上形成有上述高电介质薄膜的上述被处理体的准备工序；和维持上述被处理体在规定的温度，并在非活性气体的气氛中对上述高电介质薄膜照射紫外线，由此进行上述高电介质薄膜的改性的改性工序。由此，能够使碳成分从高电介质薄膜中脱离，并且使整体热压配合而提高密度，防止缺损的发生，而且能够提高膜密度，从而提高介电常数，能够得到较高的电特性。

主权项

1.一种高电介质薄膜的改性方法，该高电介质薄膜使用有机金属化合物材料、形成在被处理体的表面，该改性方法的特征在于，包括：准备在表面上形成有所述高电介质薄膜的所述被处理体的准备工序；和维持所述被处理体在规定的温度，并且在非活性气体的气氛中对所述高电介质薄膜照射紫外线，由此进行所述高电介质薄膜的改性的改性工序。