[发明专利]制作至少一个溅射涂覆基板的方法及溅射源无效

专利信息
申请号: 200680048479.X 申请日: 2006-12-20
公开(公告)号: CN101351865A 公开(公告)日: 2009-01-21
发明(设计)人: F·阿塔姆尼;S·卡德莱克;S·克拉斯尼特泽;W·哈格;P·格鲁南费尔德 申请(专利权)人: OC欧瑞康巴尔斯公司
主分类号: H01J37/34 分类号: H01J37/34;C23C14/35
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 刘杰;魏军
地址: 列支敦士*** 国省代码: 列支敦士登;LI
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摘要: 利用恒定磁场(Hs)进行溅射。通过将调制磁场(Hm)叠加到所述恒定磁场(Hs),调制邻近负责该恒定磁场的磁极之一的该恒定磁场(Hs),由此最小化或略去经历再次沉积的溅射表面(3)的未被侵蚀区域。
搜索关键词: 制作 至少 一个 溅射 涂覆基板 方法
【主权项】:
1.一种制作至少一个溅射涂覆基板的方法,包括:从包括至少一个溅射靶的靶装置磁场增强溅射涂覆所述至少一个基板,所述至少一个溅射靶具有溅射表面,由此:通过第一磁极静止和细长装置和第二磁极静止和细长装置在所述表面上产生时变磁场,所述第一和第二静止和细长装置设置成相互分隔,一个顺着另一个,且其至少一个位于所述溅射表面下方,所述第一和第二静止和细长装置共同地产生具有磁力线图案的恒定磁场,所述磁力线图案当在垂直于所述表面的相应平面考虑时在所述表面上方呈拱形且当沿垂直于所述平面的方向考虑时呈隧道状;叠加调制磁场到所述恒定磁场,以邻近所述第一磁极静止和细长装置和所述第二磁极静止和细长装置之一并沿着所述一个静止和细长装置的至少主要部分。
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