[发明专利]使用双相基片清洗混合物的方法和系统无效

专利信息
申请号: 200680048939.9 申请日: 2006-12-19
公开(公告)号: CN101370885A 公开(公告)日: 2009-02-18
发明(设计)人: 米哈伊尔·科罗利克;埃里克·M·弗里尔;约翰·M·德拉里奥斯;卡特里娜·米哈利钦科;迈克·拉夫金;弗雷德·雷德克 申请(专利权)人: 朗姆研究公司
主分类号: C09G1/00 分类号: C09G1/00;C09G1/02
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人: 章社杲;吴贵明
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 提供清洁混合物、装置以及方法以从基片表面去除污染物。提供一种示范性的清洁混合物,以从半导体基片表面去除粒子污染物。该清洁混合物包括粘性流体,其粘度在大约1cP到大约10,000cP之间。该清洁混合物还包括分散在该粘性流体中的多个固体成分,该多个固体成分与该粒子基片表面上的污染物相互作用以从该基片表面去除该粒子污染物。
搜索关键词: 使用 双相基片 清洗 混合物 方法 系统
【主权项】:
1.一种从半导体基片表面去除粒子污染物的清洁混合物,包括:粘性流体,其粘度在大约1cP到大约10,000cP之间;以及多个固体成分,分散在该粘性流体中,该多个固体成分与该基片表面上的粒子污染物相互作用以从该基片表面去除该粒子污染物。
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