[发明专利]用于减少光致抗蚀剂释气效应的技术无效
申请号: | 200680049162.8 | 申请日: | 2006-12-06 |
公开(公告)号: | CN101346803A | 公开(公告)日: | 2009-01-14 |
发明(设计)人: | 拉塞尔·J·罗;乔纳森·G·英格兰;史蒂夫·E·克劳斯;艾立克·D·赫尔曼森 | 申请(专利权)人: | 瓦里安半导体设备公司 |
主分类号: | H01L21/302 | 分类号: | H01L21/302 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 寿宁 |
地址: | 美国麻*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明揭示用于减少光致抗蚀剂释气效应的技术。在一个特定示范性实施例中,所述技术可实行为一种用于在离子注入机中减少光致抗蚀剂释气效应的设备。所述设备可包括位于终端站与上游束线组件之间的漂移管。所述设备还可包括位于漂移管与终端站之间的第一可变孔径。所述设备可进一步包括位于漂移管与上游束线组件之间的第二可变孔径。可调节第一可变孔径和第二可变孔径以促进差动抽吸。 | ||
搜索关键词: | 用于 减少 光致抗蚀剂释气 效应 技术 | ||
【主权项】:
1.一种用于在离子注入器中减少光致抗蚀剂释气效应的设备,其特征在于所述的设备包括:漂移管,其位于终端站与上游束线组件之间;第一可变孔径,其位于所述漂移管与所述终端站之间;以及第二可变孔径,其位于所述漂移管与所述上游束线组件之间;其中所述第一可变孔径和所述第二可变孔径可经调节以促进差动抽吸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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