[发明专利]使用大气压氢等离子体的膜制造方法、精制膜制造方法及装置无效
| 申请号： | 200680049202.9 | 申请日： | 2006-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN101401190A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 大参宏昌;安武洁;垣内弘章 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/203 | 分类号： | H01L21/203;H01L31/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种高速、均质、低成本地制作多晶Si薄膜等的制造方法及其装置。其中，对一电极进行水冷且安装Si靶，对另一电极进行加温且安装任意基板，当两者之间产生大气压氢等离子体时，能够使低温侧靶放出的Si原子堆积在高温侧基板上。此时，如果靶中包含掺杂元素，则可以制作掺杂Si薄膜。因为不需要对SiH4、B2H6、PH3等高价、有害的气体进行处理，所以可以降低设备及其运转成本。另外，通过应用本发明的膜制造方法，能够从含有多种物质的靶中仅对目的物质进行纯化。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 大气压 等离子体 制造 方法 精制 装置 | ||
【主权项】：
1、一种膜制造方法，在填充有以压力10～202kPa(76～1520Torr)的氢为主体的反应气体的反应室内，将保持较高温度的基板和保持较低温度的且其氢化物为挥发性的靶以平行方式配置，使基板和靶之间发生放电，从而在基板上形成靶的薄膜。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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