[发明专利]表面保护薄膜有效
| 申请号： | 200680049396.2 | 申请日： | 2006-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN101346665A | 公开（公告）日： | 2009-01-14 |
| 发明（设计）人： | 梶谷邦人;今村顺一 | 申请（专利权）人： | 木本股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14;B32B27/00;G03F7/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的表面保护薄膜，在透明高分子薄膜的一面设置有粘着层，在另一面设置有表面保护层，该表面保护层含有作为剥离性成分的JISR3257：1999中的与水的接触角在100度以上的缩合反应型硅酮类树脂，且由作为粘合剂成分的JIS R3257：1999中的与水的接触角在90度以下的缩合反应型树脂形成。所述JIS R3257：1999中的与水的接触角在90度以下的缩合反应型树脂，优选含有缩合反应型硅酮类树脂。该表面保护薄膜可对于光致抗蚀剂持续具有极高的剥离性。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 保护 薄膜 | ||
【主权项】：
1.一种表面保护薄膜，其是在透明高分子薄膜的一面设置有表面保护层的表面保护薄膜，其特征在于，表面保护层含有：作为剥离性成分的JIS R3257：1999中的与水的接触角为100度以上的缩合反应型硅酮类树脂；作为粘合剂成分的JISR3257：1999中的与水的接触角为90度以下的缩合反应型树脂。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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