[发明专利]通过使用外延层减小三维晶体管的外电阻的方法和结构无效
| 申请号： | 200680049438.2 | 申请日： | 2006-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN101346811A | 公开（公告）日： | 2009-01-14 |
| 发明（设计）人： | B·S·多伊尔;J·K·布拉斯克;A·马朱姆达;S·达塔;J·卡瓦利罗斯;M·拉多萨夫杰维克;R·S·乔 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 柯广华;张志醒 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述了用替代栅工艺形成的三栅晶体管的制造。在一个实施例中，使用氮化物伪栅，允许直接与伪栅相邻的外延源区和漏区的生长。这减小了外电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 使用 外延 减小 三维 晶体管 外电 方法 结构 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成场效应晶体管的方法，包括：由第一材料在半导体主体上形成伪栅；在所述主体上与所述伪栅对准生长外延半导体层，使得在所述第一材料上没有生长发生；在所述主体中至少部分与所述伪栅对准形成源区和漏区；以及用与所述主体绝缘的导电栅替代所述伪栅。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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