[发明专利]非易失性存储器的体效应读出方法

摘要

本发明提供一种用于读出存储器单元的方案。通过被选定存储器单元的沟道使被选定存储器单元放电到地电平，接着将电压电平置于传统源极上且将另一电压电平置于控制栅极上，并允许单元位线充电。所述存储器单元的所述位线会接着充电，直到所述位线电压高得足以切断任何进一步的单元导通。所述位线电压的上升将按视所述单元的数据状态而定的速率并上升到视所述数据状态而定的电平，且接着当所述位线达到足够高的电平以致达到电流会本质上切断的体效应受影响存储器单元阈值时，所述单元会关闭。特定实施例执行多个此类读出子操作，每一子操作采用不同的控制栅极电压，但在每一操作中通过经由先前已放电单元的源极对所述先前已放电单元充电而读出多个状态。

主权项

1.一种操作沿着字线与位线连接的存储器单元阵列的方法，其包含：选择多态存储器单元以用于读出操作；通过连接所述被选定存储器单元所沿着的所述位线使所述被选定存储器单元的读出节点放电到地电平；在使所述被选定存储器单元的所述读出节点放电后：向所述被选定存储器单元的源极施加第一电压电平；及向连接所述被选定存储器单元所沿着的所述字线施加第二电压电平，其中所述第一与第二电压电平独立于所述被选定单元内所存储的数据内容；在施加所述第一与第二电压电平后，允许在连接所述被选定存储器单元所沿着的所述位线上产生对应电压；执行第一读出操作，其包括将所述被选定存储器单元的所述读出节点处所产生的所述电压与第一多个参考值作比较，以便确定所述被选定存储器单元的所述数据内容是否对应于所述多个状态的第一子集中的一个状态；在执行所述第一读出操作后，向连接所述被选定存储器单元所沿着的所述字线施加第三电压电平，其中所述第二与第三电压电平是截然不同的；在施加所述第三电压电平后，允许在连接所述被选定存储器单元所沿着的所述位线上产生对应电压；及执行第二读出操作，其包括将所述被选定存储器单元的所述读出节点处所产生的所述电压与第二多个参考值作比较，以便确定所述被选定存储器单元的所述数据内容是否对应于所述多个状态的第二子集中的一个状态，其中所述多个状态的所述第一与第二子集是截然不同的且每一子集包含多个状态。