[发明专利]基于作为介质材料的独特聚(1,1-二氟乙烯)共聚物和三元共聚物的快速放电和高效率的高电能密度聚合物电容器无效
申请号: | 200680049503.1 | 申请日: | 2006-12-18 |
公开(公告)号: | CN101356603A | 公开(公告)日: | 2009-01-28 |
发明(设计)人: | 章启明;初宝进;周鑫;吕英莹;王庆;B·尼斯 | 申请(专利权)人: | 宾夕法尼亚州研究基金会 |
主分类号: | H01G4/18 | 分类号: | H01G4/18 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 杨晓光;于静 |
地址: | 美国宾夕*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种具有介质电荷层或能量存储层的改进的电荷或能量存储器件,包括:(i)共聚物或三元共聚物,其选自:P(VDF-CTFE)、P(VDF-CFE)、P(VDF-HFP)、P(VDF-CDFE)、P(VDF-TrFE-CTFE)、P(VDF-TrFE-CFE)、P(VDF-TrFE-HFP)、P(VDF-TrFE-CDFE)、P(VDF-TFE-CTFE)、P(VDF-TFE-CFE)、P(VDF-TFE-HFP)和P(VDF-TFE-CDFE);或者(ii)PVDF均聚物与共聚物的聚合物混合物,所述共聚物选自:P(VDF-CTEE)、P(VDF-CFE)、P(VDF-HFP)和P(VDF-CDFE);或者(iii)PVDF均聚物与三元共聚物的聚合物混合物,所述三元共聚物选自:P(VDF-TrFE-CTFE)、P(VDF-TrFE-CFE)、P(VDF-TrFE-HFP)、P(VDF-TrFE-CDFE)、P(VDF-TFE-CTFE)、P(VDF-TFE-CFE)、P(VDF-TFE-HFP)和P(VDF-TFE-CDFE);或者(iv)共聚物和三元共聚物的聚合物混合物,所述共聚物选自:P(VDF-CTFE)、P(VDF-CFE)、P(VDF-HFP)和P(VDF-CDFE),所述三元共聚物选自:P(VDF-TrFE-CTFE)、P(VDF-TrFE-CFE)、P(VDF-TrFE-HFP)、P(VDF-TrFE-CDFE)、P(VDF-TFE-CTFE)、P(VDF-TFE-CFE)、P(VDF-TFE-HFP)和P(VDF-TFE-CDFE)。 | ||
搜索关键词: | 基于 作为 介质 材料 独特 乙烯 共聚物 三元 快速 放电 高效率 电能 密度 聚合物 电容器 | ||
【主权项】:
1.一种用于存储、和/或控制、和/或操纵电荷和/或电能的具有作为介质层的聚合物膜的器件,其改进包括:介质层,其包括,(i)共聚物或三元共聚物,其选自:P(VDF-CTFE)、P(VDF-CFE)、P(VDF-HFP)、P(VDF-CDFE)、P(VDF-TrFE-CTFE)、P(VDF-TrFE-CFE)、P(VDF-TrFE-HFP)、P(VDF-TrFE-CDFE)、P(VDF-TFE-CTFE)、P(VDF-TFE-CFE)、P(VDF-TFE-HFP)和P(VDF-TFE-CDFE);或者(ii)PVDF均聚物与共聚物的聚合物混合物,所述共聚物选自:P(VDF-CTEE)、P(VDF-CFE)、P(VDF-HFP)和P(VDF-CDFE);或者(iii)PVDF均聚物与三元共聚物的聚合物混合物,所述三元共聚物选自:P(VDF-TrFE-CTFE)、P(VDF-TrFE-CFE)、P(VDF-TrFE-HFP)、P(VDF-TrFE-CDFE)、P(VDF-TFE-CTFE)、P(VDF-TFE-CFE)、P(VDF-TFE-HFP)和P(VDF-TFE-CDFE);或者(iv)共聚物和三元共聚物的聚合物混合物,所述共聚物选自:P(VDF-CTFE)、P(VDF-CFE)、P(VDF-HFP)和P(VDF-CDFE),所述三元共聚物选自:P(VDF-TrFE-CTFE)、P(VDF-TrFE-CFE)、P(VDF-TrFE-HFP)、P(VDF-TrFE-CDFE)、P(VDF-TFE-CTFE)、P(VDF-TFE-CFE)、P(VDF-TFE-HFP)和P(VDF-TFE-CDFE)。
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