[发明专利]InSb薄膜磁传感器及其制造方法有效
| 申请号： | 200680049524.3 | 申请日： | 2006-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN101351902A | 公开（公告）日： | 2009-01-21 |
| 发明（设计）人： | 柴崎一郎;外贺宽崇;冈本敦 | 申请（专利权）人： | 旭化成株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/06 | 分类号： | H01L43/06;G01R33/07;G01R33/09;H01L43/08 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 | 代理人： | 侯莉 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及可高灵敏度地直接检测出磁通量密度，且可用于消耗电力和消耗电流较小的微小型InSb薄膜磁传感器的薄膜层压体以及InSb薄膜磁传感器。是将InSb薄膜作为磁传感部、或磁场检测部的InSb薄膜磁传感器。具备有：作为形成于基板(1)上的InSb薄膜的InSb动作层(3)、电阻高于该InSb动作层(3)或显示出绝缘性或p型传导性、能带隙大于InSb的AlxGayIn1－x－ySb混合晶层(0≤x、y≤1)(2)。混合晶层(2)设置于基板(1)和InSb动作层(3)之间，Al与Ga的原子含有率(x+y)在5.0％至17％的范围(0.05≤x+y≤0.17)。 | ||
| 搜索关键词： | insb 薄膜 传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜层压体，其特征在于，具备：作为形成于基板上的InSb薄膜的InSb动作层、电阻高于该InSb动作层或显示出绝缘性、能带隙大于InSb的AlxGayIn1-x-ySb混合晶层(0≤x、y≤1)；上述混合晶层设置于上述基板和上述InSb动作层之间，Al与Ga的原子含有率(x+y)在5.0％至17％的范围(0.05≤x+y≤0.17)，或上述InSb动作层与相接的上述混合晶层的晶格失配在0.25％至1.0％的范围。
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