[发明专利]制造具体是由硅制成的板状可拆卸结构的方法以及该方法的应用无效
| 申请号： | 200680049563.3 | 申请日： | 2006-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN101351879A | 公开（公告）日： | 2009-01-21 |
| 发明（设计）人： | 贝尔纳·阿斯帕尔;克里斯特尔·拉加赫－布朗沙尔 | 申请（专利权）人： | 特拉希特技术公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;C30B33/02 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 禇海英;陈桂香 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制造板状结构的方法，所述结构包括至少一个基底(3)、覆盖层(5)和夹在所述基底和所述覆盖层之间的至少一个中间层(4)，所述方法包括：在所述基底上形成至少一个所述中间层，所述中间层含有其中分布有称之为非本征原子或分子的至少一种基材，这些非本征原子或分子不同于所述基材的原子或分子，从而构成次结构(2)；对所述次结构(2)施加基本的热处理，从而在该热处理的温度范围内，在所选择的所述基材中的所选择的非本征原子或分子的存在导致所述中间层的结构转变；并且在热处理过的所述中间层(4)上装配所述覆盖层(5)，从而获得板状的所述结构(1)。所述方法用于制造可拆卸的半导体结构。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 具体 制成 可拆卸 结构 方法 以及 应用 | ||
【主权项】：
1.一种制造晶片形式的结构的方法，所述结构包括至少一个基底(3)、覆盖层(5)和夹在所述基底和所述覆盖层之间的至少一个中间层(4)，其特征在于，所述方法包括：-在所述基底上形成至少一个所述中间层，所述中间层含有其中分布有称之为非本征原子或分子的至少一种基材，这些非本征原子或分子不同于所述基材的原子或分子，从而构成次结构(2)；-对所述次结构(2)施加基本的热处理，从而在该热处理的温度范围内，在所选择的所述基材中的所选择的非本征原子或分子的存在引起所述中间层的结构转变；并且-使所述覆盖层(5)与热处理过的所述中间层(4)连接，从而获得晶片形式的所述结构(1)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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