[发明专利]复合氧化物膜及其制造方法、复合体及其制造方法、介电材料、压电材料、电容器、压电元件和电子设备无效
| 申请号： | 200680049784.0 | 申请日： | 2006-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN101351407A | 公开（公告）日： | 2009-01-21 |
| 发明（设计）人： | 白川彰彦 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | C01G23/00 | 分类号： | C01G23/00;C25D11/26;H01G4/12;H01L21/822;H01L27/04;H01L41/24 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 段承恩;田欣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的是不使用复杂而庞大的设备，提供相对介电常数高、膜厚可任意地控制、具有高的耐受电压的复合氧化物膜及其制造方法、包含该复合氧化物膜的复合体及其制造方法、包含上述复合氧化物膜或复合体的介电材料或压电材料、包含对高耐受电压化有利的复合氧化物膜的电容器或压电元件以及具备它的电子设备。通过采用阳极氧化等方法在基体表面形成含有钛元素金属氧化物膜，接着使含有锶离子的溶液与该金属氧化物膜进行反应，可以得到含有钛元素和锶元素的复合氧化物膜。进而可以得到包含具有该复合氧化物膜的复合体作为介电材料的电容器、和包含具有该复合氧化物膜的复合体作为压电材料的压电元件。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 氧化物 及其 制造 方法 复合体 材料 压电 电容器 元件 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种含有钛元素和锶元素的复合氧化物膜的制造方法，包括：形成含有钛元素的金属氧化物膜的第一工序、和使含有锶离子的溶液与该金属氧化物膜进行反应的第二工序。
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