[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200680050123.X | 申请日： | 2006-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN101371370A | 公开（公告）日： | 2009-02-18 |
| 发明（设计）人： | 成泰连 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/30 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种半导体器件和方法。所述半导体器件包括形成于具有绝缘特性的生长衬底上的第一类型的基于氮化物的覆层、形成于所述第一类型的基于氮化物的覆层上的多量子阱的基于氮化物的有源层、以及形成于所述多量子阱的基于氮化物的有源层上且不同于所述第一类型的基于氮化物的覆层的第二类型的基于氮化物的覆层。在所述未掺杂的基于氮化物的缓冲层和第一类型的基于氮化物的覆层之间、或/和在所述第二类型的基于氮化物的覆层上形成隧道结层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：具有绝缘特性的生长衬底；形成于所述生长衬底上的成核层；形成于所述成核层上、同时用作缓冲层的未掺杂的基于氮化物的缓冲层；形成于所述未掺杂的基于氮化物的缓冲层上的第一类型的基于氮化物的覆层；形成于所述第一类型的基于氮化物的覆层上的多量子阱的基于氮化物的有源层；形成于所述多量子阱的基于氮化物的有源层上的第二类型的基于氮化物的覆层，所述第二类型不同于所述第一类型；以及形成于所述未掺杂的基于氮化物的缓冲层和所述第一类型的基于氮化物的覆层之间、或形成于所述第二类型的基于氮化物的覆层上、或者形成于所述未掺杂的基于氮化物的缓冲层和所述第一类型的基于氮化物的覆层之间以及形成于所述第二类型的基于氮化物的覆层上的隧道结层。
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