[发明专利]利用化学机械抛光的功率器件有效
| 申请号： | 200680050437.X | 申请日： | 2006-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102017103A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 布鲁斯·道格拉斯·马钱特;托马斯·E·格雷布斯;罗德尼·S·里德利;内森·劳伦斯·克拉夫特 | 申请（专利权）人： | 飞兆半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;尚志峰 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种沟槽栅场效应晶体管(FET)如下形成：使用一个掩模，在硅区中限定并同时形成多个有源栅极沟槽和至少一个栅极流道沟槽，使得：(i)至少一个栅极流道沟槽具有比多个有源栅极沟槽中的每一个的宽度都大的宽度，以及(ii)多个有源栅极沟槽与至少一个栅极流道沟槽相连。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 化学 机械抛光 功率 器件 | ||
【主权项】：
一种形成沟槽栅场效应晶体管(FET)的方法，包括：使用一个掩模，在硅区中限定并同时形成多个有源栅极沟槽和至少一个栅极流道沟槽，使得：(i)所述至少一个栅极流道沟槽具有比所述多个有源栅极沟槽中的每一个的宽度都大的宽度，以及(ii)所述多个有源栅极沟槽与所述至少一个栅极流道沟槽相连。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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