[发明专利]高电压碳化硅半导体器件的环境坚固钝化结构有效
| 申请号： | 200680050811.6 | 申请日： | 2006-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN101356649A | 公开（公告）日： | 2009-01-28 |
| 发明（设计）人： | A·沃德三世;J·P·亨宁 | 申请（专利权）人： | 克里公司 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;H01L21/314;H01L21/04 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国北*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于碳化硅中高电场半导体器件的改进的终止结构。该终止结构包括用于高电场工作的基于碳化硅的器件，器件中的有源区，有源区的边缘终止钝化，其中边缘终止钝化包括，位于器件的至少一些碳化硅部分上的用于满足表面状态和降低界面密度的氧化物层，位于氧化物层上用于避免氢的结合且用于减小寄生电容和最小化捕获的氮化硅的非化学计量层，以及，位于非化学计量层上用于密封非化学计量层和氧化物层的氮化硅的化学计量层。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 碳化硅 半导体器件 环境 坚固 钝化 结构 | ||
【主权项】：
1.一种用于碳化硅中高电场半导体器件的改进的终止结构，包括：用于高电场工作的基于碳化硅的器件；所述器件中的有源区；所述有源区的边缘终止钝化，其中所述边缘终止钝化包括，位于所述器件的至少一些碳化硅部分上的的氧化物层，用于满足表面状态和降低界面密度，位于所述氧化物层上的氮化硅的非化学计量层，用于避免氢的结合且用于减小寄生电容和最小化捕获，以及，位于所述非化学计量层上的氮化硅的化学计量层，用于密封所述非化学计量层和所述氧化物层。
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