[发明专利]晶片的硅层的探伤装置及探伤方法无效
| 申请号： | 200680051001.2 | 申请日： | 2006-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN101360994A | 公开（公告）日： | 2009-02-04 |
| 发明（设计）人： | 白坂智久;榊哲夫;小林恒雄 | 申请（专利权）人： | 榊哲夫 |
| 主分类号： | G01N27/90 | 分类号： | G01N27/90 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明以简便且在短时间内检测存在于晶片的硅层的裂纹或伤痕为目的而形成。所形成的探伤装置包括：配置在距上述硅层的表面有规定距离的线圈传感器、对线圈传感器施加高频波的高频波施加部、一边将上述硅层的表面和线圈传感器之间的距离保持为恒定，一边使两者相对移动的扫描机构部、以及对从上述线圈传感器输出的信号的变化或从上述高频波施加部施加的高频波的变化进行检测，来检测上述硅层所存在的裂纹或者伤痕的裂纹检测部，通过高频波施加部施加的高频波的频率为5MHz～200MHz。从而可进行以往无法实现的硅层探伤。当探伤对象的硅为低电阻硅时，施加的频率为0.5MHz～200MHz。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 探伤 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶片的硅层的探伤装置，该探伤装置用于利用涡电流对晶片的本征硅层存在的裂纹或者伤痕进行检测，其特征在于，具备：线圈传感器，其配置在距上述硅层的表面有规定距离的位置；高频波施加部，其对上述线圈传感器施加频率为5MHz～200MHz的高频波；扫描机构部，其一边将上述硅层的表面和上述线圈传感器之间的距离保持为恒定，一边使两者相对移动；裂纹检测部，其对从上述线圈传感器输出的信号的变化或从上述高频波施加部施加的高频波的变化进行检测，来检测上述硅层所存在的裂纹或者伤痕。
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