[发明专利]进行等离子体增强原子层沉积的方法和系统有效

专利信息
申请号: 200680051358.0 申请日: 2006-11-09
公开(公告)号: CN101535524A 公开(公告)日: 2009-09-16
发明(设计)人: 雅克·法戈特 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: C23C16/44 分类号: C23C16/44
代理公司: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 代理人: 肖善强
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供了一种在衬底上进行气相沉积的方法、计算机可读介质和系统,包括:将气态膜前驱体引入处理空间;将所述处理空间的体积从第一体积增至第二体积以形成增大的处理空间;将还原气体引入所述增大的处理空间;由所述还原气体形成还原等离子体。用于气相沉积的系统包括具有第一处理空间和第二处理空间的处理室,第二处理空间包括第一处理空间并且具有大于第一体积的第二体积。第一处理空间被配置用于原子层沉积,第二处理空间被配置用于将在第一处理空间沉积的层等离子体还原。
搜索关键词: 进行 等离子体 增强 原子 沉积 方法 系统
【主权项】:
1. 一种在气相沉积系统中在衬底上形成薄膜的方法,包括:将衬底放置在具有所述衬底上方限定的处理空间的所述气相沉积系统中;将气态膜前驱体引入所述处理空间;在将所述气态膜前驱体引入所述处理空间之后,将所述处理空间的体积从第一体积增加至第二体积,形成增大的处理空间;将还原气体引入所述增大的处理空间;和由所述还原气体形成还原等离子体。
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