[发明专利]进行等离子体增强原子层沉积的方法和系统有效
申请号: | 200680051358.0 | 申请日: | 2006-11-09 |
公开(公告)号: | CN101535524A | 公开(公告)日: | 2009-09-16 |
发明(设计)人: | 雅克·法戈特 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 肖善强 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供了一种在衬底上进行气相沉积的方法、计算机可读介质和系统,包括:将气态膜前驱体引入处理空间;将所述处理空间的体积从第一体积增至第二体积以形成增大的处理空间;将还原气体引入所述增大的处理空间;由所述还原气体形成还原等离子体。用于气相沉积的系统包括具有第一处理空间和第二处理空间的处理室,第二处理空间包括第一处理空间并且具有大于第一体积的第二体积。第一处理空间被配置用于原子层沉积,第二处理空间被配置用于将在第一处理空间沉积的层等离子体还原。 | ||
搜索关键词: | 进行 等离子体 增强 原子 沉积 方法 系统 | ||
【主权项】:
1. 一种在气相沉积系统中在衬底上形成薄膜的方法,包括:将衬底放置在具有所述衬底上方限定的处理空间的所述气相沉积系统中;将气态膜前驱体引入所述处理空间;在将所述气态膜前驱体引入所述处理空间之后,将所述处理空间的体积从第一体积增加至第二体积,形成增大的处理空间;将还原气体引入所述增大的处理空间;和由所述还原气体形成还原等离子体。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的