[发明专利]非晶态或部分非晶态的纳米级离子贮存材料有效
| 申请号： | 200680051496.9 | 申请日： | 2006-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN101361210A | 公开（公告）日： | 2009-02-04 |
| 发明（设计）人： | Y－M·常;A·E·普伦;N·米通 | 申请（专利权）人： | A123系统公司 |
| 主分类号： | H01M4/52 | 分类号： | H01M4/52 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李帆 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了非晶态或部分非晶态的纳米级离子贮存材料。例如，锂过渡金属磷酸盐贮存材料在制得的状态中是纳米级且非晶态或部分非晶态，或者在锂的电化学插入或脱插时变为非晶态或部分非晶态。这些纳米级离子贮存材料适用于制备例如高能量和高功率蓄电池的装置。 | ||
| 搜索关键词： | 晶态 部分 纳米 离子 贮存 材料 | ||
【主权项】：
1.具有至少约10m2/g比表面积的主要为晶态的纳米级锂过渡金属磷酸盐材料，其中在脱锂和/或锂化时该材料的非晶态含量增加。
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