[发明专利]具有沟槽绝缘接触端子的减薄的图像传感器

摘要

本发明涉及减薄的衬底图像传感器，尤其是彩色图像传感器的制造。从硅衬底的正面实施制造步骤，然后将所述正面转移到转移衬底上，并减薄所述硅，然后通过背面制造连接端子。在连接端子的位置穿过减薄的硅形成多个局部化接触孔，所述孔暴露了在正面处理步骤期间形成的第一导电层(24)；在背面上沉积与所述硅接触的铝(42)，所述铝渗透到开口内，并与所述第一层接触；对所述铝进行蚀刻，以限定所述连接端子；最后，穿过所述硅层的整个厚度打开外围沟槽，该沟槽完全包围所述连接端子。

主权项

1.一种具有减薄的硅衬底的图像传感器的制造方法，其包括从硅衬底的正面实施的制造步骤，之后将所述正面转移到转移衬底上，之后将所述硅衬底减薄到几微米的厚度，以及最后在所述减薄的硅衬底的背面实施的制造步骤，该方法的特征在于，从所述背面实施的制造步骤包括：-在为传感器的外部连接端子的制造保留的表面区域上，穿过所述减薄的衬底(12)蚀刻至少一个局部化接触开口(40)，所述开口局部暴露第一导电层(24)，该第一导电层(24)是在从所述正面实施的制造步骤的过程中形成的；-在所述背面上沉积与所述开口中的硅接触的第二导电层(42)，所述第二层与所述第一层(24)接触；-蚀刻所述第二层，以限定连接端子；-穿过所述减薄的硅衬底的整个厚度打开外围沟槽(48)，使其抵达位于该衬底之下的绝缘层(22)，该沟槽完全包围所述连接端子，并且所述沟槽的底部整个由所述绝缘层形成，因而形成了由减薄的硅构成的岛，该岛被所述连接端子覆盖，并且其通过所述沟槽与所述减薄的硅的其余部分绝缘。