[发明专利]NAND架构存储器装置及操作有效
| 申请号： | 200680051664.4 | 申请日： | 2006-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN101361136A | 公开（公告）日： | 2009-02-04 |
| 发明（设计）人： | 弗朗姬·F·鲁帕尔瓦尔 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 刘国伟 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 当与传统NAND存储器阵列架构相比时，使用经修改的NAND架构的非易失性存储器装置可促进存储器密度的提高、制作步骤的减少及读取操作的加快，在所述经修改的NAND架构中存储器单元的NAND串的两端选择性地耦合到同一位线。可采用与传统NAND存储器阵列相同的方式完成对所述存储器单元的编程及擦除。然而，可使用类似于DRAM装置中的读取操作的电荷共享技术来完成对所述存储器单元的读取。 | ||
| 搜索关键词： | nand 架构 存储器 装置 操作 | ||
【主权项】：
1、一种NAND存储器阵列，其包括：至少一个位线；及至少一个串联耦合的非易失性存储器单元串；其中第一串联耦合的非易失性存储器单元串的第一端选择性地耦合到第一位线；且其中所述第一串联耦合的非易失性存储器单元串的第二端选择性地耦合到所述第一位线。
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