[发明专利]利用化合物半导体的选择性蚀刻制造微透镜和集成有微透镜的光电器件的方法有效
| 申请号： | 200680051726.1 | 申请日： | 2006-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN101336381A | 公开（公告）日： | 2008-12-31 |
| 发明（设计）人： | 张基洙;李用卓;A·卡迈 | 申请（专利权）人： | 光州科学技术院;埃迪斯科文大学 |
| 主分类号： | G02B3/00 | 分类号： | G02B3/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 邬少俊;王英 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种利用化合物半导体的选择性蚀刻制造微透镜的方法和制造具有微透镜的光电器件的方法。形成微透镜包括对化合物半导体层进行构图和去除化合物半导体层的侧表面以形成大致为半球形的透镜。通过数字合金方法去除化合物半导体层的侧表面。具体而言，通过湿法蚀刻工艺去除化合物半导体层的侧表面。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 化合物 半导体 选择性 蚀刻 制造 透镜 集成 光电 器件 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制造微透镜的方法，包括：在衬底上形成具有反应性金属的化合物半导体层；蚀刻所述化合物半导体层，并形成化合物半导体层图案；以及部分去除所述化合物半导体层图案的侧表面，并形成透镜层，其中通过数字合金方法形成所述化合物半导体层，所述化合物半导体层包括含有所述反应性金属的反应层和由不含反应性金属的化合物半导体构成的半导体层，并且在所述化合物半导体层的上部位置所述反应性金属的浓度较高。
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