[发明专利]低位错密度GaN的生长工艺有效
| 申请号： | 200680051917.8 | 申请日： | 2006-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN101336314A | 公开（公告）日： | 2008-12-31 |
| 发明（设计）人： | B·博蒙;J－P·福里;P·吉巴特 | 申请（专利权）人： | 卢米洛格股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B25/02;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟 |
| 地址： | 法国瓦*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 对侧向外延生长技术做一些新的改变就可以获得高质量的独自的GaN，其中3D岛或特征采用改变生长参数来获得。通过设置生长条件加强侧向生长从而获得平坦的岛(2D生长)。3D－2D生长的循环将导致穿透位错的多次弯曲，从而得到厚层或穿透位错密度低于106cm－2的独立的GaN。 | ||
| 搜索关键词： | 低位 密度 gan 生长 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种制造低缺陷密度GaN的方法，包括以下步骤：d)在开始衬底上生长GaN的外延层，e)随后在低温下生长GaN层，以产生岛特征，f)在侧向生长被加强的情况下生长顶部的GaN层，直到岛特征完全合并并得到光滑平坦的表面，其特征在于：步骤b)的完成没有使用任何类型的掩膜，不粗糙化，不刻蚀，也不在GaN表面产生沟槽，仅仅通过改变生长室内的工作压力，分压，温度，V/III比例和/或通过在气相中添加表面活性剂或者非表面活性化学物质。
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