[发明专利]漏极和/或源极上带改进的植入物的结型场效应晶体管

摘要

本发明提供一种JFET，其在制作过程中接纳一附加的植入物，所述的植入物使JFET的漏极朝它的源区延伸，和/或使它的源极朝它的漏区延伸。这样，所述的植入物减小了电场强度，而在给定漏极和/或源极电压的情况下，电场强度又在漏极/沟道(和/或源极/沟道)的接合处上升，因此，减小了栅极电流和与电场有关的击穿问题的严重性。JFET的栅极层的宽度尺寸最好是制成分别为每个植入物在栅极层的侧边界与漏区和/或源区之间留有间隙，每个植入物分别植入各自的间隙中。

主权项

1.一种结型场效应晶体管(JFET)，其包括：一掺杂以具有第一极性的底栅层；一掺杂以具有与所述底栅层的极性相反的第二极性的源区，其凹入所述底栅层的顶面中；一所述第二极性的漏区，其凹入所述的底栅层的顶面中并与所述的源区隔开；一所述第二极性的沟道层，其凹入在所述的源区与漏区之间的所述底栅层的顶面中；一所述第一极性的顶栅层，其凹入在所述源区与漏区之间的所述沟道层的顶面中；一所述第二极性的植入物，植入所述的植入物，以致于使所述的植入物与所述的漏区和/或源区接触并分别使所述的漏区和/或源区朝所述的源区和/或漏区延伸，这样，所述的植入物减小了电场强度，而在给定漏极和/或源极电压的情况下，电场强度又在所述的漏区和/或源区与所述的沟道层的接合处上升。