[发明专利]增强型和耗尽型AlGaN/GaN HFET的单片集成

摘要

公开一种利用增强型和耗尽型AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(HFET)的单片集成的方法及器件。首先定义HFET的源极和漏极欧姆接触。然后定义耗尽型HFET的栅电极。然后采用样本的基于氟化物的等离子体处理和高温后栅极退火来定义增强型HFET的栅电极。器件隔离通过台面蚀刻或者基于氟化物的等离子体处理来实现。这种方法为高密度和高速度应用中青睐的基于GaN的集成电路提供完全平面工艺。

主权项

1.一种用于制作半导体有源器件的方法，包括以下动作：a)在垂直不同质III-N半导体层形成图案，以便使第一晶体管的沟道区而不是第二晶体管的沟道区曝光；b)把氟引入所述第一晶体管的所述沟道区，但基本上没有引入所述第二晶体管的所述沟道区，以便为所述第一和第二晶体管提供不同的门限电压值；以及c)形成源极、漏极和栅极，从而完成所述晶体管的形成；其中，所述动作(b)使所述第一晶体管而不是所述第二晶体管具有正门限电压。