[发明专利]硫属元素化物太阳能电池无效
| 申请号： | 200680052019.4 | 申请日： | 2006-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN101336487A | 公开（公告）日： | 2008-12-31 |
| 发明（设计）人： | J·K·J·万杜伦;B·波尔曼;M·R·罗斯彻森;B·M·萨格 | 申请（专利权）人： | 纳米太阳能公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;B05D5/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李帆 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了用于形成IB族－IIIA族－硫属元素化物化合物膜的前体材料以及制造这种膜的方法。该膜包含IB族－硫属元素化物纳米颗粒和/或IIIA族－硫属元素化物纳米颗粒和/或纳米球和/或纳米液滴和额外硫属元素源。作为替代，该膜可以含有核壳纳米颗粒，该核壳纳米颗粒具有包括IB族和/或IIIA族元素的核心纳米颗粒，该核心纳米颗粒涂覆有单质硫属元素材料的外壳。制造IB族－IIIA族－硫属元素化物化合物膜的方法包括混合纳米颗粒和/或纳米球和/或纳米液滴来形成油墨，将该油墨沉积在衬底上，加热以便熔化额外硫属元素并使硫属元素与IB族和IIIA族元素和/或硫属元素化物反应形成致密的膜。 | ||
| 搜索关键词： | 元素 太阳能电池 | ||
【主权项】：
1.包含如下步骤的方法：形成包括IB族-硫属元素化物和/或IIIA族-硫属元素化物颗粒的前体材料；将该前体材料放置在衬底表面上；和在一个或多个步骤中使前体材料反应形成IB族-IIIA族-硫属元素化物化合物的膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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