[发明专利]制冷循环装置无效
| 申请号： | 200680052090.2 | 申请日： | 2006-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN101336509A | 公开（公告）日： | 2008-12-31 |
| 发明（设计）人： | 利年百明;清水慎也;远藤隆久;石田圭一 | 申请（专利权）人： | 东芝开利株式会社 |
| 主分类号： | H02M7/48 | 分类号： | H02M7/48 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 蹇炜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | MOSFET(4u、4v、及4w)和IGBT(3u、3v、及3w)沿印刷电路板(50)的端边缘成直线布置成该MOSFET(4u、4v、及4w)和该IGBT(3u、3v、及3w)彼此靠近的状态。此外，一个热沉(54)联接到该MOSFET(4u、4v、及4w)和该IGBT(3u、3v、及3w)。 | ||
| 搜索关键词： | 制冷 循环 装置 | ||
【主权项】：
1、一种制冷循环装置，包括压缩机、冷凝器、和蒸发器，其中，所述压缩机由反相器装置驱动，其中所述反相器装置包括开关电路，以及。所述开关电路包括多个串联电路，在所述多个串联电路中的每一个中，设置有回流二极管的IGBT和MOSFET彼此串联连接，以便保持上游侧/下游侧关系，多个反向电压施加电路，所述多个反向电压施加电路中的每一个在所述多个串联电路中的每一个的IGBT开启前向与该IGBT相同的串联电路中的MOSFET的回流二极管施加反向电压，印刷电路板，所述多个反向电压施加电路安装于其上，各个IGBT安装成所述各个IGBT彼此相邻的状态，并且各个MOSFET安装成所述各个MOSFET彼此相邻的状态，以及散热部件，所述各个IGBT和所述各个MOSFET与其联接。
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