[发明专利]信息记录介质及其制造方法以及其制造装置有效
申请号: | 200680052095.5 | 申请日: | 2006-12-18 |
公开(公告)号: | CN101336453A | 公开(公告)日: | 2008-12-31 |
发明(设计)人: | 坂上嘉孝;儿岛理惠;西原孝史 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | G11B7/254 | 分类号: | G11B7/254;G11B7/24;G11B7/243;G11B7/257;G11B7/26 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种信息记录介质,包含:能够使用光学的途径或电气的途径引起可以检测的相变的记录层(19、26)、与记录层(19、26)相接的作为氧化物层的界面层(18、20、25、27)。记录层(19)含有以式子:GeαBiβTeγM100-α-β-γ(原子%)(M表示选自Al、Ga、In及Mn中的至少一种元素,α、β及γ满足25≤α≤60、0<β≤18、35≤γ≤55、82≤α+β+γ<100。)表示的Ge-Bi-Te-M系材料。界面层(18、20、25、27)含有至少一种记录层(19、26)中所含的元素M的氧化物。 | ||
搜索关键词: | 信息 记录 介质 及其 制造 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种信息记录介质,它是包含:能够利用光学的途径或电气的途径引起可以检测的相变的记录层、与所述记录层相接的氧化物层的信息记录介质,其特征在于,所述记录层含有以下述式子:GeαBiβTeγM100-α-β-γ(原子%)表示的Ge-Bi-Te-M系材料,所述氧化物层含有至少一种所述记录层中所含的元素M的氧化物,所述M表示选自Al、Ga、In及Mn中的至少一种元素,所述α、β及γ满足25≤α≤60、0<β≤18、35≤γ≤55、82≤α+β+γ<100。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社,未经松下电器产业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200680052095.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 信息记录介质、信息记录方法、信息记录设备、信息再现方法和信息再现设备
- 信息记录装置、信息记录方法、信息记录介质、信息复制装置和信息复制方法
- 信息记录装置、信息再现装置、信息记录方法、信息再现方法、信息记录程序、信息再现程序、以及信息记录介质
- 信息记录装置、信息再现装置、信息记录方法、信息再现方法、信息记录程序、信息再现程序、以及信息记录介质
- 信息记录设备、信息重放设备、信息记录方法、信息重放方法、以及信息记录介质
- 信息存储介质、信息记录方法、信息重放方法、信息记录设备、以及信息重放设备
- 信息存储介质、信息记录方法、信息回放方法、信息记录设备和信息回放设备
- 信息记录介质、信息记录方法、信息记录装置、信息再现方法和信息再现装置
- 信息终端,信息终端的信息呈现方法和信息呈现程序
- 信息创建、信息发送方法及信息创建、信息发送装置