[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200680052148.3 | 申请日： | 2006-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN101336490A | 公开（公告）日： | 2008-12-31 |
| 发明（设计）人： | 寺尾元康;黑土健三;竹村理一郎;高浦则克;半泽悟 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L27/10 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件，在嵌入了塞(35)的绝缘膜(31)上按顺序形成有由第一组成物和第二组成物构成的第二组成物释放区域(45)、由硫属化合物构成的固体电解质区域(46)和上部电极(47)。由第一组成物和第二组成物构成的第二组成物释放区域(45)由圆顶状的电极部分(43)和将电极部分(43)的周围嵌入的绝缘膜(44)构成，在塞(35)上存在着至少1个电极部分(43)。电极部分(43)包括由如氧化钽那样的即使施加电场也仍然稳定的第一组成物构成的第一部分和由如铜或银那样的通过施加电场很容易向固体电解质区域(46)扩散并移动的第二组成物构成的第二部分。通过使从电极部分(43)供给的第二组成物在固体电解质区域(46)中移动来存储信息。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，具有：由第一组成物和第二组成物构成的第二组成物释放单元；和靠近上述第二组成物释放单元的固体电解质区域，通过使上述第二组成物释放单元供给的上述第二组成物在上述固体电解质区域中移动而使其物理特性发生变化来存储信息。
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