[发明专利]芯片级集成射频无源器件、其制造方法及含有其的系统有效
| 申请号： | 200680052387.9 | 申请日： | 2006-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN101336477A | 公开（公告）日： | 2008-12-31 |
| 发明（设计）人： | X·曾;何江奇;B·徐 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L27/08;H01L23/66 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种芯片封装包括设置于该芯片封装中管芯背侧表面上的电介质层下方的射频无源器件层。管芯有源表面和射频无源器件层之间的感应环路较小，因为任何射频无源器件都直接位于管芯占地区的下方。一种组合射频无源器件层的方法包括管芯级和板级射频无源器件层。一种计算系统包括芯片封装中的射频无源器件层。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片级 集成 射频 无源 器件 制造 方法 含有 系统 | ||
【主权项】：
1、一种设备，包括：管芯，其包括有源表面和背侧表面；电介质层，其设置于所述背侧表面上；至少一个射频(RF)无源器件，其设置于所述电介质层下；以及所述有源表面和所述至少一个RF无源器件之间的电连接。
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