[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，其的目的在于恰当地决定场缓和区的杂质浓度分布并降低通态电阻。为了实现上述目的，该半导体装置具备：基板(1)、第1漂移层(2)、第2漂移层(3)、第1阱区(4a)、第2阱区(4b)、电流控制区(15)以及电场缓和区(8)。第1阱区(4a)，毗连第2漂移层(3)的与外周附近邻接的端部以及外周附近的下方的第1漂移层(2)而配置。电场缓和区(8)与第1阱区(4a)邻接地配置于第1漂移层(2)上。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：由含有第1导电类型杂质的碳化硅构成的基板(1)；由含有第1浓度的第1导电类型杂质的碳化硅构成并配置在所述基板表面的整个面上的第1漂移层(2)；由含有高于第1浓度的第2浓度的第1导电类型杂质的碳化硅构成，在所述第1漂移层表面的除外周附近以外的整个面上配置的第2漂移层(3)；含有第2导电类型杂质并毗连所述第2漂移层的与所述外周附近邻接的端部以及所述外周附近的下方的所述第1漂移层而配置的第1阱区(4a)；含有第2导电类型杂质并在除了与所述外周附近邻接的端部以外的所述第2漂移层上配置的第2阱区(4b)；在所述第1以及第2阱区间的所述第2漂移层上配置的电流控制区(15)；以及与所述第1阱区邻接地在所述第1漂移层上配置的电场缓和区(8)。