[发明专利]具有隧穿势垒嵌在有机基质中的量子点的中能带光敏器件有效
| 申请号： | 200680052810.5 | 申请日： | 2006-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN101375425A | 公开（公告）日： | 2009-02-25 |
| 发明（设计）人： | 史蒂芬·R·福里斯特 | 申请（专利权）人： | 普林斯顿大学理事会 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 车文;郑立 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 多个量子点，每个量子点具有外壳。将所述量子点嵌入在有机基质中。至少所述量子点和所述有机基质是光导半导体。将每个量子点的所述外壳设置为隧穿势垒，以要求在所述有机基质中的所述隧穿势垒基部处的电荷载流子(电子或空穴)执行量子机械隧穿，从而到达所述各个量子点。每个量子点中的第一量子态在所述有机基质的最低未占分子轨道(LUMO)和最高占据分子轨道(HOMO)之间。所述多个量子点的所述第一量子态的波函数可以重叠以形成中能带。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 隧穿势垒嵌 有机 基质 中的 量子 能带 光敏 器件 | ||
【主权项】：
1.一种光敏器件，包括：多个量子点，每个量子点具有外壳；以及有机基质，所述量子点嵌入在该有机基质中，至少所述量子点和所述有机基质是光导半导体，外壳，在每个量子点周围，被设置为隧穿势垒，以要求所述有机基质的最低未占分子轨道(LUMO)中的电子执行量子机械隧穿，从而到达所述各个量子点，以及第一量子态，在所述有机基质的LUMO和最高占据分子轨道(HOMO)之间的每个量子点中的带隙上面，所述多个量子点的第一量子态的波函数重叠为中能带。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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