[发明专利]半导体器件制造方法无效
| 申请号： | 200680053348.0 | 申请日： | 2006-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN101405836A | 公开（公告）日： | 2009-04-08 |
| 发明（设计）人： | 山田惠三 | 申请（专利权）人： | 株式会社拓普康 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/20;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人： | 罗正云;王诚华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的课题在于良好地管理光致抗蚀剂工序，提高半导体器件的制造效率。本发明的半导体测量装置的特征在于，包括：在半导体衬底上形成光致抗蚀剂膜的步骤；利用形成有工艺评价用的规定图案的掩模，对每个曝光区采用不同的曝光条件曝光所述光致抗蚀剂膜的步骤；在规定条件下使所述光致抗蚀剂膜显影，从而在所述半导体衬底上形成光致抗蚀剂结构体的步骤；向形成有所述光致抗蚀剂结构体的所述半导体衬底的表面照射电子束的步骤；对随着所述电子束的照射而产生于所述半导体衬底的衬底电流进行测量的步骤；和根据所述衬底电流的波形计算工艺窗口的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件制造方法，包括：在半导体衬底上形成光致抗蚀剂膜的步骤；利用形成有工艺评价用的规定图案的掩模，对每个曝光区采用不同的曝光条件曝光所述光致抗蚀剂膜的步骤；在规定条件下使所述光致抗蚀剂膜显影，从而在所述半导体衬底上形成光致抗蚀剂结构体的步骤；向形成有所述光致抗蚀剂结构体的所述半导体衬底的表面照射电子束的步骤；对随着所述电子束的照射而产生于所述半导体衬底的衬底电流进行测量的步骤；和根据所述衬底电流的波形计算工艺窗口的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
