[发明专利]制备限制的层的方法和用该方法制造的装置无效
| 申请号： | 200680053669.0 | 申请日： | 2006-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN101507177A | 公开（公告）日： | 2009-08-12 |
| 发明（设计）人： | C·D·朗;S·索里奇;C·K·泰勒;D·R·安托;A·戈纳佳;P·A·桑托 | 申请（专利权）人： | E.I.内穆尔杜邦公司 |
| 主分类号： | H04L9/30 | 分类号： | H04L9/30;H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 朱黎明 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种在第一层上形成限制的第二层的方法，该方法包括以下步骤：形成具有第一表面能的第一层；用反应性的表面活性组合物处理该第一层以形成具有第二表面能的处理过的第一层，所述第二表面能低于第一表面能；对处理过的第一层进行辐射曝光；形成第二层。本发明还提供由该方法制造的有机电子装置。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 限制 方法 制造 装置 | ||
【主权项】：
1. 在第一层上形成限制的第二层的方法，所述方法包括：形成具有第一表面能的第一层；用反应性表面活性组合物处理第一层以便形成具有第二表面能的处理过的第一层，所述第二表面能低于第一表面能；对处理过的第一层进行辐射曝光；以及形成第二层。
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