[发明专利]发光二极管的低光损失电极结构有效
| 申请号： | 200680054553.9 | 申请日： | 2006-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN101438423A | 公开（公告）日： | 2009-05-20 |
| 发明（设计）人： | 法兰克·T·萧;威廉·W·苏;史提夫·D·列斯特 | 申请（专利权）人： | 普瑞光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L29/225 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一电极结构被揭露以增加一发光二极管的亮度及/或效率。该电极结构具有一金属电极及一透光性厚介电材料形成在该电极及一发光半导体材料之间。该电极及该厚介电材料相互配合反射来自该半导体材料的光回到该半导体材料中以增加前述光最后穿透该半导体材料的可能性。此发光二极管的利用性被提高并适合用于一般照明。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 损失 电极 结构 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体发光二极管的电极结构，该电极结构包括：一金属电极；及一透光介电材料形成在一半导体上，该介电材料的折射系数大于或等于1且小于该半导体的折射系数及该介电材料的厚度大于λ/2，该介电材料对应该电极而形成以增加光反射度。
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