[发明专利]反射膜或半透反射膜用的薄膜及溅射靶材以及光记录介质无效
| 申请号： | 200680054804.3 | 申请日： | 2006-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN101449185A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 小幡智和;柳原浩 | 申请（专利权）人： | 田中贵金属工业株式会社 |
| 主分类号： | G02B5/08 | 分类号： | G02B5/08;C23C14/34;G02B5/10;G11B7/24;G11B7/258;G11B7/26 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 冯 雅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明是在由银形成的基质中分散银的氮化物、氧化物、复合氧化物、氮氧化物、碳化物、硫化物、氯化物、硅化物、氟化物、硼化物、氢化物、磷化物、硒化物、碲化物中的至少一种银化合物相而形成的反射膜或半透反射膜用的薄膜。本发明的薄膜即使长期使用反射率的下降也少，可以延长光记录介质、显示器等采用反射膜的各种装置的寿命。此外，也可以用于光记录介质中所采用的半反半透膜。 | ||
| 搜索关键词： | 反射 薄膜 溅射 以及 记录 介质 | ||
【主权项】：
1. 反射膜或半透反射膜用的薄膜，其特征在于，在由银形成的基质中分散银的氮化物、氧化物、复合氧化物、氮氧化物、碳化物、硫化物、氯化物、硅化物、氟化物、硼化物、氢化物、磷化物、硒化物、碲化物中的至少一种银化合物相而形成。
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