[发明专利]半导体不良分析装置、不良分析方法、以及不良分析程序

摘要

由取得半导体器件的不良观察图像(P2)的检查信息取得部(11)、取得布图信息的布图信息取得部(12)、进行不良分析的不良分析部(13)构成不良分析装置(10)。不良分析部(13)抽出半导体器件的多个网路中通过从不良观察图像设定的多个分析区域的至少1个的候补网路、以及该候补网路通过分析区域的通过次数，选择通过次数最多的候补网路，以作为第1不良网路，并且，着眼于第1不良网路未通过的分析区域，进行第2不良网路的选择。由此，实现了能够可靠且高效地进行使用不良观察图像的半导体器件的不良的分析的半导体不良分析装置、不良分析方法、以及不良分析程序。

主权项

1. 一种半导体不良分析装置，分析半导体器件的不良，其特征在于，具备：检查信息取得模块，取得进行与不良相关的检查而得到的、包含起因于不良的反应信息的不良观察图像，以作为半导体器件的观察图像；布图信息取得模块，取得所述半导体器件的布图信息；不良分析模块，参照所述不良观察图像和所述布图信息，进行与所述半导体器件的不良相关的分析，所述不良分析模块具有：区域设定模块，用于参照所述不良观察图像，对应于所述的反应信息而设定分析区域；网路信息分析模块，参照所述分析区域，对所述半导体器件的布图所包含的多个网路进行不良分析，所述网路信息分析模块，在由所述区域设定模块设定多个分析区域的情况下，抽出所述多个网路中通过所述多个分析区域的至少1个的候补网路、以及该候补网路通过分析区域的通过次数，针对所抽出的多个候补网路，选择所述通过次数最多的候补网路，以作为第1不良网路，并且，着眼于所述第1不良网路未通过的分析区域，进行第2不良网路的选择。