[发明专利]用于铜互连层的无电镀NiP附着和/或覆盖层无效

专利信息
申请号: 200680055001.X 申请日: 2006-06-16
公开(公告)号: CN101466869A 公开(公告)日: 2009-06-24
发明(设计)人: 那须昭宣;陈易聪;陈玄芳;熊炯声;林则安 申请(专利权)人: 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司;财团法人工业技术研究院
主分类号: C23C18/16 分类号: C23C18/16;C23C18/36;C23C18/18;H01L21/288;C23C18/40
代理公司: 北京市中咨律师事务所 代理人: 林柏楠;黄革生
地址: 法国*** 国省代码: 法国;FR
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摘要: 一种在基底上,例如在玻璃基底上,沉积用于例如TFT-LCD平面面板互连系统的铜互连层的方法。该方法包括以下步骤:a)任选地,将基底清洁,b)任选地,将基底微蚀刻,c)在基底(100)上沉积催化层(101),以获得催化基底(100,101),d)以调理溶液调理该催化基底,以获得经调理的催化基底(100,101,102),e)通过使该基底或其至少一部分与包含Ni的前体和P的前体的湿浴混合物接触,在该催化基底上镀敷无电NiP层(103),从而获得镀NiP的经调理的催化基底(100,101,102,103),f)在该镀NiP层上沉积铜催化剂层(104),以及g)在所述铜催化剂层(104)上沉积铜层(105)。
搜索关键词: 用于 互连 电镀 nip 附着 覆盖层
【主权项】:
1、一种在基底上,例如在玻璃基底上,沉积用于例如TFT-LCD平面面板互连系统的铜互连层的方法,其包括以下步骤:a)任选地,将基底清洁,b)任选地,将基底微蚀刻,c)在基底(100)上沉积催化层(101),以获得催化基底(100,101),d)以调理溶液调理该催化基底,以获得经调理的催化基底(100,101,102),e)通过使该基底或其至少一部分与包含Ni的前体和P的前体的湿浴混合物接触,在该催化基底上镀敷无电NiP层(103),从而获得镀NiP的经调理的催化基底(100,101,102,103),f)在该镀NiP层上沉积铜催化剂层(104),以及g)在所述铜催化剂层(104)上沉积铜层(105)。
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