[发明专利]用于铜互连层的无电镀NiP附着和/或覆盖层无效
申请号: | 200680055001.X | 申请日: | 2006-06-16 |
公开(公告)号: | CN101466869A | 公开(公告)日: | 2009-06-24 |
发明(设计)人: | 那须昭宣;陈易聪;陈玄芳;熊炯声;林则安 | 申请(专利权)人: | 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司;财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | C23C18/16 | 分类号: | C23C18/16;C23C18/36;C23C18/18;H01L21/288;C23C18/40 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 林柏楠;黄革生 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种在基底上,例如在玻璃基底上,沉积用于例如TFT-LCD平面面板互连系统的铜互连层的方法。该方法包括以下步骤:a)任选地,将基底清洁,b)任选地,将基底微蚀刻,c)在基底(100)上沉积催化层(101),以获得催化基底(100,101),d)以调理溶液调理该催化基底,以获得经调理的催化基底(100,101,102),e)通过使该基底或其至少一部分与包含Ni的前体和P的前体的湿浴混合物接触,在该催化基底上镀敷无电NiP层(103),从而获得镀NiP的经调理的催化基底(100,101,102,103),f)在该镀NiP层上沉积铜催化剂层(104),以及g)在所述铜催化剂层(104)上沉积铜层(105)。 | ||
搜索关键词: | 用于 互连 电镀 nip 附着 覆盖层 | ||
【主权项】:
1、一种在基底上,例如在玻璃基底上,沉积用于例如TFT-LCD平面面板互连系统的铜互连层的方法,其包括以下步骤:a)任选地,将基底清洁,b)任选地,将基底微蚀刻,c)在基底(100)上沉积催化层(101),以获得催化基底(100,101),d)以调理溶液调理该催化基底,以获得经调理的催化基底(100,101,102),e)通过使该基底或其至少一部分与包含Ni的前体和P的前体的湿浴混合物接触,在该催化基底上镀敷无电NiP层(103),从而获得镀NiP的经调理的催化基底(100,101,102,103),f)在该镀NiP层上沉积铜催化剂层(104),以及g)在所述铜催化剂层(104)上沉积铜层(105)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司;财团法人工业技术研究院,未经乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司;财团法人工业技术研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200680055001.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理