[发明专利]一种用于铜工艺无边导通孔的自对准氮化硅覆层方法有效
| 申请号： | 200680055512.1 | 申请日： | 2006-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN101501837A | 公开（公告）日： | 2009-08-05 |
| 发明（设计）人： | 李秋德 | 申请（专利权）人： | 和舰科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张春媛 |
| 地址： | 215123中国江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种用于铜工艺无边导通孔的自对准氮化硅覆层方法，包括：在沉积有牺牲层(22)的基材(21)上刻蚀出图案，接着填充金属铜；进行化学机械抛光后除去牺牲层，形成金属铜头(23)；沉积金属间绝缘介质(24，25，26，27，28)；定义刻蚀区，对上述金属间绝缘介质(24，25，26，27，28)进行刻蚀，形成无边导通孔。将自对准氮化硅覆层方法用于无边导通孔铜工艺并解决了在氮化硅帽盖打开时金属铜沿氮化硅帽盖、低介电常数材料及微沟槽挤出的问题。对于对准的导通孔，金属铜头上方应力点会远离导通孔底端拐角，利于界面剥离并解决了界面的弱点电阻率问题；对于未对准的导通孔，接邻金属的刻蚀终止层形成覆层用于阻挡通过低介电常数材料的刻蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 工艺 无边 导通孔 对准 氮化 覆层 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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