[发明专利]电子束控制方法、电子束生成设备、使用该方法的设备，以及发射器有效
| 申请号： | 200680055690.4 | 申请日： | 2006-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN101506927A | 公开（公告）日： | 2009-08-12 |
| 发明（设计）人： | 藤田伸;穆罕默德·戈马蒂;多奎尔·威尔斯 | 申请（专利权）人： | 株式会社岛津制作所;约克大学 |
| 主分类号： | H01J1/13 | 分类号： | H01J1/13;H01J3/02;H01J37/06;H01J35/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有在电子束发射侧曲率半径为2.0μm的锥端的肖特基发射器。因为曲率半径大于等于1μm，电子枪的焦距可以比在曲率半径在0.5μm到不超过0.6μm的范围的传统实践中的更长。发现焦距粗略地和曲率半径成正比。因为角电流强度(每单位立体角的束流)和电子枪焦距的平方成正比，可以在发射器半径可实现的增加内把前者提高一个数量级。更高的角电流强度意味着来自电子枪更大的可用束流，而本发明使肖特基发射器能够用于要求微安量级的相对高的束流的应用中，例如微焦点X射线管、电子探针显微分析仪和电子束光刻系统。 | ||
| 搜索关键词： | 电子束 控制 方法 生成 设备 使用 以及 发射器 | ||
【主权项】：
1. 一种电子束控制方法，包括电子束产生步骤，该电子束产生步骤在向电子束发射侧的削尖成锥形的发射器的锥端施加电场时，利用肖特基效应从锥端发射电子来产生电子束，该方法进一步包括：调节锥端曲率半径的曲率半径调节步骤；通过在曲率半径调节步骤中调节的曲率半径控制电子束焦距的焦距控制步骤；采用焦距控制步骤控制的焦距控制电子束的角电流密度的角电流密度控制步骤，其中电子束产生步骤在经过角电流密度控制步骤之后控制了角电流密度的状态下进行每次电子束发射。
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