[发明专利]用于竖流型转盘式反应器的密度匹配的烷基挤出流有效
申请号: | 200680056352.2 | 申请日: | 2006-10-10 |
公开(公告)号: | CN101535523A | 公开(公告)日: | 2009-09-16 |
发明(设计)人: | B·米特洛夫克;A·古拉里;W·奎恩;E·A·阿穆尔 | 申请(专利权)人: | 维高仪器股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/00 | 分类号: | C23C16/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 郭 辉;王 颖 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 在一个用于在基片上生长外延层的转盘式反应器或其它CVD反应器系统中,在离圆盘旋转轴(14)不同径向距离的气体进口(8a-8d)处流向基片(3a,3b,3c)的气体在各个进口具有基本相同的气体流量/速度和基本相同的气体密度。流向远离轴的圆盘部分的气体比流向靠近轴的圆盘部分的气体包含更高浓度的反应气,使得离轴不同距离的基片表面部分在每单位面积上所接收的反应气的量基本相同,利用在离旋转轴不同径向距离处具有不同相对分子量的载气的组合,可使反应器各区域内的气体密度基本相等。在应用该系统时,可以在多个气体进口处组合载气,可以在多个进口处组合载气和反应气,可以使用任意多种气体,前提是至少使用两种不同分子量的气体。在反应器内达到了所需的线性流动式样,避免了层流再循环区域,同时能够在基片上均匀地沉积和生长外延膜。 | ||
搜索关键词: | 用于 竖流型 转盘 反应器 密度 匹配 烷基 挤出 | ||
【主权项】:
1. 一种处理基片的方法,其包括:使基片支架绕轴旋转,同时将一个或多个基片固定在所述支架上,使待处理的一个或多个基片表面与气体处理室内所述旋转轴基本垂直地放置;通过多个气体进口将多股气流引入腔室内,导向基片,所述各气流具有已知的气流截面积,所述各气流含有至少一种载气,所述气流中至少两股不同的气流含分子量不同的不同载气,对所述气流中每股气流的载气在每单位截面积上的流量进行选择,使得构成各股气流的气体的总密度与构成其它气流的气体的总密度相同,构成各股气流的气体在每单位截面积上的总流量与构成其它任何气流的气体在每单位截面积上的总流量相同。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的