[发明专利]通过在防止基材边缘的生长的基材上的外延生长制造氮化物单晶的方法有效
| 申请号： | 200680056431.3 | 申请日： | 2006-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN101600819A | 公开（公告）日： | 2009-12-09 |
| 发明（设计）人： | E·奥若尔;J-P·福里;B·博蒙 | 申请（专利权）人： | 卢米洛格股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/04 | 分类号： | C30B25/04;C30B29/40 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程 伟 |
| 地址： | 法国瓦*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种通过在适于所述晶体生长的基材上的外延生长制造氮化物单晶的方法，其中所述基材包括沉积在其生长表面边缘的适于防止所述单晶在基材边缘生长的掩蔽物。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 防止 基材 边缘 生长 外延 制造 氮化物 方法 | ||
【主权项】：
1、一种通过在适于所述晶体生长的基材上的外延生长制造氮化物单晶的方法，其中所述基材包括沉积在其生长表面边缘的适于防止所述单晶在基材边缘生长的掩蔽物。
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