[发明专利]制造绝缘体上半导体结构的方法有效
| 申请号： | 200680056525.0 | 申请日： | 2006-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN101548369A | 公开（公告）日： | 2009-09-30 |
| 发明（设计）人： | 奥列格·科农丘克 | 申请（专利权）人： | 硅绝缘体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/322 | 分类号： | H01L21/322;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 辉 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及对用于电子器件或光电器件的结构进行处理的过程，所述结构顺次包括：衬底、所具有的导热性大致高于由半导体材料的氧化物制成的氧化物层的导热性的介电层、由所述半导体材料的氧化物制成的氧化物层、由所述半导体材料制成的薄半导体层，其特征在于，该过程包括在惰性气氛或还原性气氛中，使用为激励所述氧化物层的大量氧扩散通过所述半导体层从而使所述氧化物层的厚度减小预定值而选择的温度值和持续时间来对所述结构进行热处理的步骤。本发明还涉及包括所述热处理的制造用于电子器件或光电器件的结构的过程。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 绝缘体 上半 导体 结构 方法 | ||
【主权项】：
1、一种对用于电子器件或光电器件的结构进行处理的过程，所述结构顺次包括：—衬底，—介电层，该介电层所具有的导热性大致高于由半导体材料的氧化物制成的氧化物层的导热性，—氧化物层，该氧化物层由所述半导体材料的氧化物制成，—薄半导体层，该薄半导体层由所述半导体材料制成，其特征在于，该过程包括在惰性气氛或还原性气氛中，使用为激励所述氧化物层的大量氧扩散通过所述半导体层从而使所述氧化物层的厚度减小预定值而选择的温度值和持续时间来对所述结构进行热处理的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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