[发明专利]电平位移电路及其驱动方法、以及具有电平位移电路的半导体电路装置有效
| 申请号： | 200680056567.4 | 申请日： | 2006-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN101558562A | 公开（公告）日： | 2009-10-14 |
| 发明（设计）人： | 船越纯 | 申请（专利权）人： | 富士通微电子株式会社 |
| 主分类号： | H03K5/02 | 分类号： | H03K5/02 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 宋 鹤;南 霆 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明是一种不产生剩余电流的电平位移电路，其特征在于，包括电平位移部，该电平位移部与产生高电位的高电位电源、产生低电位的低电位电源、产生接地电位的接地电位电源连接，接收在所述低电位和接地电位之间摆动的低电位信号，并将该低电位信号变换成在所述高电位和接地电位之间摆动的高电位信号后输出；反相器部，该反相器部对来自所述电平位移部的所述高电位信号进行反相放大；以及N型MOS晶体管，该N型MOS晶体管与反相器部串联连接在所述高电位电源和接地电位电源之间，其栅极电极连接在所述低电位电源上，并且向所述反相器部提供接地电位。另外，如果使用上述的电平位移电路，则能够提供不管模拟电源和逻辑电源的接通顺序如何都不会产生剩余电流的半导体电路装置。 | ||
| 搜索关键词： | 电平 位移 电路 及其 驱动 方法 以及 具有 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种电平位移电路，其特征在于，包括：产生高电位的高电位电源；产生低电位的低电位电源；产生接地电位的接地电位电源；电平位移部，所述电平位移部接收在所述低电位和接地电位之间摆动的低电位信号，并将该低电位信号变换成在所述高电位和接地电位之间摆动的高电位信号后输出；反相器部，所述反相器部对来自所述电平位移部的所述高电位信号进行反相放大；以及N型MOS晶体管，所述N型MOS晶体管与反相器部串联连接在所述高电位电源和接地电位电源之间，并且其栅极电极连接在所述低电位电源上，所述N型MOS晶体管向所述反相器部提供接地电位。
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