[发明专利]闪存的位线晶体管结构

摘要

一存储器阵列包括：一内埋扩散区、将电源供应至内埋扩散区的一第一源极线、将电源供应至内埋扩散区的一第二源极线、具有一第一通道宽度的一第一位线晶体管及具有一第二通道宽度的一第二位线晶体管。第一位线晶体管最接近第一源极线且电性耦接至一第一存储器单元。第一位线晶体管配置于第一源极线与第二源极线之间。第二二位线晶体管最接近第一位线晶体管且电性耦接至一第二存储器单元。第二位线晶体管配置于第一源极线与第二源极线之间，且较第一位线晶体管更远离第一源极线，其中第二通道宽度大于第一通道宽度。

主权项

1.一种存储器阵列，其特征在于，其包含：一内埋扩散区；将电源供应至所述内埋扩散区的一第一源极线；将电源供应至所述内埋扩散区的一第二源极线，而所述第二源极线实质上与所述第一源极线平行且隔开；具有第一通道宽度的第一位线晶体管，而所述第一位线晶体管配置于所述第一源极线与所述第二源极线之间，且最接近所述第一源极线而电性耦接至一第一存储器单元；以及具有第二通道宽度的第二位线晶体管，而所述第二位线晶体管最接近于所述第一位线晶体管且电性耦接至第二存储器单元，所述第二位线晶体管配置于所述第一源极线与所述第二源极线之间且较所述第一位线晶体管更远离所述第一源极线，而所述第二通道宽度大于所述第一通道宽度。