[发明专利]增进散热效益的半导体封装载膜与封装构造有效
| 申请号： | 200710000402.1 | 申请日： | 2007-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN101231989A | 公开（公告）日： | 2008-07-30 |
| 发明（设计）人： | 沈更新;刘光华;李明勋 | 申请（专利权）人： | 南茂科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/367 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种增进散热效益的半导体封装载膜与封装构造，该载膜是主要包含一可挠性介电层、复数个引脚、至少一散热图案以及至少一虚置引脚。该散热图案是形成于该可挠性介电层的一上表面或一下表面。该虚置引脚是经过该可挠性介电层的一晶片设置区并热耦合上述引脚中的至少一引脚至该散热图案。因此可提供高密度排列引脚的导热路径，以更有效地增进其散热效率。 | ||
| 搜索关键词： | 增进 散热 效益 半导体 装载 封装 构造 | ||
【主权项】：
1.一种增进散热效益的半导体封装载膜，其特征在于其包含：一可挠性介电层，其是具有一上表面与一下表面，该上表面是界定有一晶片设置区；复数个引脚，其是形成于该可挠性介电层的该上表面；至少一散热图案，其是形成于该可挠性介电层的该上表面或该下表面；以及至少一虚置引脚，其是经过该晶片设置区并热耦合上述引脚中的至少一引脚至该散热图案。
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