[发明专利]用于大基板的低－K介电层

摘要

本发明公开了一种用于生成薄膜的系统和方法。所述工艺的一实施方式包括以下工序：提供包括玻璃板、电极的基板；以及母线；将所述基板加热至近似临界温度；当所述基板接近所述近似临界温度时开始所述沉积工艺，从而在基板上沉积薄膜；在所述化学气相沉积工艺进行的同时，使所述薄膜的上部分维持在约所述临界温度；一旦所述薄膜达到预期的厚度就终止所述沉积工艺；以及冷却所述基板和所沉积的薄膜。

主权项

1.一种利用PECVD沉积介电层的方法，该方法包括：将基板加热至近似临界温度，其中所述临界温度对应前驱物气体；在大约基板接近临界温度时，将所述前驱物气体导入工艺腔室；分解所述前驱物气体，从而形成沉积材料；以及沉积所述沉积材料从而形成薄膜。